高純硅的制備化學(xué)方程式：SiO2+C=Si+2CO，Si+2Cl2=SiCl4，SiCl4+2H2=Si+4HCl，反應(yīng)條件都是：高溫。

高純硅的制備一般首先由硅石（SiO2）制得工業(yè)硅（粗硅），再制成高純的多晶硅，最后拉制成半導(dǎo)體材料硅單晶。多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。工業(yè)硅，意思就是用于工業(yè)的金屬冶煉，俗稱金屬硅。高純硅是叢工業(yè)硅的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提純所得，又分為單晶硅和多晶硅。高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的一些元素，可以形成p型硅半導(dǎo)體單晶硅慘入一些元素做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料，可以做成二極管、晶閘管宇宙航行的重要材料等。